?離子植入的參數(shù)有很多變化，例如所用的離子類型，要植入的離子和離子量以及要植入的晶圓的大小和類型。因此，很難僅使用一個(gè)離子植入器進(jìn)行所有離子植入過程。

例如，當(dāng)將離子（例如磷或硼）植入高濃度時(shí)，需要高電流和高能離子植入裝置。此外，如果要植入離子的晶片是在高溫下運(yùn)行的動(dòng)力裝置晶片，例如SIC，則需要將晶片加熱到高溫的設(shè)備。

另一方面，離子植入器是昂貴的制造設(shè)備。選擇一個(gè)離子植入器時(shí)，假定要植入的離子類型，植入的量和適用的晶圓大小。此外，仔細(xì)考慮設(shè)備價(jià)格和吞吐量之間的關(guān)系很重要。