離子植入設(shè)備原理
?離子植入裝置由離子源，分析單元，縫隙，加速器管，偏振器，鏡頭，掃描儀，硅晶片階段，高溫注入夾具組成。離子源部分已放置在真空狀態(tài)下，并充滿了用于產(chǎn)生離子的磷，硼，砷等元素，并使用電磁場(chǎng)將氣體變成血漿狀態(tài)。
分析單元和縫隙的作用是僅移動(dòng)用于離子植入的物質(zhì)的離子，從等離子體形成的氣體進(jìn)入加速器管。離子在加速管內(nèi)加速并穿過(guò)偏振器和Q鏡頭，使其形狀為離子束。
掃描儀的作用是在X和Y方向上掃描離子光束。將要植入的晶片精確設(shè)置在硅晶片階段，當(dāng)離子束掃描晶片表面時(shí)，將離子植入。
晶圓的背面有一個(gè)高溫注射夾具。高溫注入夾具的作用是加熱晶圓。通過(guò)加熱晶片，可以抑制由離子植入引起的晶體缺陷的發(fā)生，并且可以通過(guò)自我彌補(bǔ)的效果消除缺陷。