?在半導體制造過程中，將離子植入裝置用于雜質(zhì)植入過程中。廣泛用于半導體底物的硅晶片是按原樣的絕緣材料，并且無法通過電流或傳輸電信號。通過將離子從外部植入晶片中，形成具有電氣特性的部分，例如N型半導體或P型半導體。

N型半導體是一個半導體，其中具有許多電子的元素被植入雜質(zhì)，而P型半導體是一個帶有許多孔的元素，被植入了雜質(zhì)。植入離子有時被稱為摻雜或植入離子。

在制作N型半導體時，使用15組元素的離子，例如氮，磷和砷。另一方面，在制作P型半導體時，使用第13組元素（例如硼和鋁）的離子。離子植入發(fā)生在電路截面通過蝕刻形成之后。

晶圓的頂表面分為晶片表面暴露的區(qū)域，并通過蝕刻受到光震保護區(qū)域。當離子植入那里時，晶片的暴露部分根據(jù)離子的類型而變成N型或P型半導體。