半導(dǎo)體曝光設(shè)備原理
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半導(dǎo)體曝光設(shè)備原理
半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺組成。聚光透鏡調(diào)整從光源發(fā)出的紫外線，使其面向同一方向。之后，紫外光穿過作為一層電路圖案原型的光掩模，通過投影透鏡減少光線，將半導(dǎo)體元件的電路圖案（一層）轉(zhuǎn)移到硅晶片上.增加。在諸如步進機之類的曝光設(shè)備中，在完成一次轉(zhuǎn)移之后，工作臺移動硅晶片并將相同的電路圖案轉(zhuǎn)移到硅晶片上的另一位置。更換光掩?？梢赞D(zhuǎn)移半導(dǎo)體器件的另一層電路圖案。
使用波長為248nm的KrF準(zhǔn)分子激光器、波長為193nm的ArF準(zhǔn)分子激光器以及波長為13nm的EUV光源作為光源。
最新半導(dǎo)體制造工藝的設(shè)計規(guī)則（最小加工尺寸）已小型化至約3至5納米，因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺的納米單位的高精度要求不斷提高。另外，由于正在進行層壓，所以通過改變電路圖案來進行多次曝光，直到完成一個半導(dǎo)體。