半導體曝光設備的應用
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半導體曝光設備的應用
半導體光刻設備用于包括MOS（金屬氧化物半導體）和FET（場效應晶體管）等半導體元件的IC（集成電路）制造過程中的曝光工序。
在IC制造過程中，在硅晶片上依次重復光刻和蝕刻的循環(huán)，并在以預定圖案堆疊和加工氧化硅、金屬等層的過程中，獲得半導體元件所需的特性. 將被處理為作為示例，在n型MOS(NMOS)的情況下，在p型硅襯底上的柵極區(qū)域中形成氧化硅膜，并在其上形成柵極金屬，并向其中注入高濃度雜質離子。漏極區(qū)和源極區(qū)，形成n型(n+型)MOS。這一系列工序中的光刻和蝕刻的各工序如圖所示地構成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。
其中，曝光工序(S3)是使用半導體曝光裝置進行的工序。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導體元件的精度，曝光設備使用不同的波長。