?半導體曝光裝置用于包含MOS（金屬氧化物半導體）、FET（場效應晶體管）等半導體元件的IC（集成電路）的制造工序中的曝光工序。

在IC制造過程中，在硅晶片上依次重復光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預定圖案的過程中，半導體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS（NMOS）的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。

其中，曝光工序(S3)使用半導體曝光裝置來進行。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導體元件的精度，使用不同的曝光設備波長。