離子注入設(shè)備原理
?離子注入裝置由離子源、分析部、狹縫、加速管、偏光板、透鏡、掃描儀、硅片臺、高溫注入夾具等組成。將磷、硼、砷等產(chǎn)生離子的元素添加到處于真空狀態(tài)的離子源部，利用電磁場將這些元素變成等離子狀態(tài)的氣體。
分析器和狹縫的作用是，將等離子氣體中用于離子注入的物質(zhì)的離子導(dǎo)入加速管。離子在加速管內(nèi)加速，并通過管末端的偏光板和Q透鏡整形為離子束。
掃描儀的作用是將離子束在X、Y方向上進行掃描，將需要注入離子的晶圓精確地放置在硅片臺上，離子束掃描晶圓表面，實現(xiàn)離子注入。
晶圓背面有一個高溫注入夾具。高溫注入夾具的作用是加熱晶圓。加熱晶圓可以抑制離子注入引起的晶體缺陷的產(chǎn)生，并通過自退火效應(yīng)消除缺陷。